[发明专利]采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法

摘要

本发明公开了一种采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法，减小其耗尽层厚度，增加其内建电容。本发明首先在金属有机化合物气相外延反应室中将蓝宝石Al2O3衬底在氢气气氛下处理5分钟，然后在氢气气氛下，三维生长GaN缓冲层，再生长n-GaN层；在氮气气氛下生长高电子浓度的n型插入层，接着生长多个周期多量子阱有源区；在有源区上，在氮气气氛下，生长高空穴浓度的p型插入层；在氢气氛下生长p-GaN层。本发明具有工艺流程相对简单，可重复性好，附加成本低，采用本发明中技术生长制作的LED芯片显示优异的光电性质，可靠性和稳定性大副度提高。

主权项

1.一种采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法，采用金属有机化合物气相外延方法， 通过在p-i-n LED 有源层近邻两边分别引入高电子浓度和高空穴浓度的插入层，使用三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝作为III族源，氨气作为V族源，硅烷作为n型掺杂源，二茂镁作为p型掺杂源，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一，在金属有机化合物气相外延反应室中将蓝宝石AllO3衬底在氢气气氛下，1040～1200处理5分钟，然后降低温度，在530～550，反应室压力 500 torr，在氢气气氛下，三维生长20～30 纳米的GaN缓冲层，再在1000～1500下生长2～4微米厚n-GaN层；步骤二，在氮气气氛下，在750～850下生长高电子浓度的n型插入层，接着生长多个周期In_xGa_1-xN/GaN多量子阱有源区，其中0.1≤x≤0.35；在有源区上，在氮气气氛下，在750～850下生长高空穴浓度的p型插入层；步骤三，在氢气气氛下，在950～1040生长p-GaN层。