[发明专利]杂质层形成方法、曝光用掩膜及固体摄像装置的制造方法

摘要

杂质层形成方法、曝光用掩膜及固体摄像装置的制造方法。杂质层形成方法包括：在半导体基板(15)表面上形成抗蚀剂材料(16)的工序；使用光栅掩膜(10)曝光抗蚀剂材料的工序，该光栅掩膜具有由透射率相互不同的多个微小透射部(13A至13D)构成的多个单位透射区域(14)，并具有这些单位透射区域二维状排列的透射区域(11)；显影曝光的抗蚀剂材料，在半导体基板表面上形成具有与透射区域的透射率相对应的膜厚的薄膜区域(17)的抗蚀剂层(18)的工序；经由薄膜区域向半导体基板(15)注入离子的工序；以及使注入到相同深度的多个离子群(21A’、21B’、21C’、21D’)扩散为在横向上接合且均匀化的工序。

主权项

一种杂质层形成方法，其特征在于，包括：在基板上形成感光性的抗蚀剂材料的工序；使用多个单位透射区域二维排列而成的曝光用掩膜，对上述抗蚀剂材料进行曝光的工序，所述单位透射区域由透射率不同的多个部分区域构成；通过对所曝光的上述抗蚀剂材料进行显影，由此形成根据上述曝光用掩膜的透射率而膜厚局部不同的抗蚀剂层的工序；经由该抗蚀剂层向上述基板注入离子的工序；以及使通过上述工序向上述基板内的大致相同深度注入的离子群扩散为在横向上连结的工序。