[发明专利]锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件，整个器件形成于深N阱中，集电区是由低掺杂的第一P型离子注入区和重掺杂的第二P型离子注入区组成的二维L形结构，通过形成于浅槽场氧底部的P型赝埋层引出。其中重掺杂的第二P型离子注入区能抑制基区宽度的展宽，从而能降低集电区的串联电阻，提高器件的特征频率；在器件正常工作时，集电区和深N阱反偏，能使低掺杂的第一P型离子注入区全部耗尽，从而能提高器件的击穿电压。本发明还公开了一种锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件的制作方法。本发明方法能够和锗硅BiCMOS工艺中的锗硅异质结双极型晶体管的制作工艺兼容，从而能够实现纵向PNP器件和锗硅异质结双极型晶体管的集成。

主权项

一种锗硅BiCMOS工艺中纵向PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于：在所述硅衬底上形成有深N阱，所述深N阱的深度大于所述浅槽场氧的深度，纵向PNP器件形成于所述深N阱中并被所述深N阱包围；所述纵向PNP器件的集电区由形成于所述深N阱上方的所述有源区中的第一P型离子注入区和第二P型离子注入区组成；所述第一P型离子注入区的深度大于所述浅槽场氧的深度，所述第一P型离子注入区横向扩散进入所述有源区周侧的所述浅槽场氧的底部的所述硅衬底中，所述第一P型离子注入区和所述深N阱相接触；所述第二P型离子注入区的深度小于所述浅槽场氧的深度，所述第二P型离子注入区位于所述第一P型离子注入区的上部且互相接触在一起；所述第二P型离子注入区的掺杂浓度大于所述第一P型离子注入区的掺杂浓度，所述第一P型离子注入区的掺杂浓度小于所述深N阱的掺杂浓度；在所述浅槽场氧的底部形成有P型赝埋层，所述P型赝埋层和所述有源区相隔一段距离、且所述P型赝埋层和所述第一P型离子注入区接触连接，通过所述P型赝埋层和所述有源区间的距离调节所述纵向PNP器件的击穿电压，在所述P型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有第一深孔接触，所述第一深孔接触和所述P型赝埋层接触并引出集电极；在所述浅槽场氧的底部的所述深N阱中形成有N型赝埋层，所述N型赝埋层和所述P型赝埋层相隔一段距离、且所述N型赝埋层不和所述第一P型离子注入区接触；在所述N型赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有第二深孔接触，所述第二深孔接触和所述N型赝埋层接触并引出所述深N阱的电极。