[发明专利]一种半导体处理设备及其气体喷淋头冷却板有效
| 申请号： | 201110282861.X | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102345112A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 姜勇;周宁 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种气体喷淋头冷却板，包括盖板、基体，基体包括底板、侧壁，底板上设有多个间隔分布的冷却液分隔装置，相邻的冷却液分隔装置之间形成适于使冷却液通过的冷却液通道，冷却液分隔装置上设有适于使气体通过的通孔，从而实现气体喷淋头冷却板对气体的均匀冷却功能。本发明还公开了一种半导体处理设备，包括上述气体喷淋头冷却板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 处理 设备 及其 气体 喷淋 冷却 | ||
【主权项】：
一种气体喷淋头冷却板(10’)，其特征在于，包括：底板(22)；侧壁(20)，所述侧壁(20)与所述底板(22)连接形成第一空间；所述第一空间内的底板(22)上设有若干冷却液分隔装置(30)，相邻的所述冷却液分隔装置(30)之间形成冷却液通道(31)，所述冷却液分隔装置(30)上设有垂直于底板(22)并适于使气体通过的通孔(32)。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
