[发明专利]大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法有效
| 申请号： | 201110283050.1 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102324436A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张雨溦;张杨;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，生长在衬底上；一插入层，生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层，生长在插入层上；一子沟道层，生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层，生长在子沟道层上；一InAs沟道层，生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，生长在InAs沟道层上；一掺杂层，生长在锑化物隔离层上，该掺杂层是Si平面掺杂的InAs，或者是Te的δ掺杂；一上势垒层，生长在掺杂层上，该上势垒层是由AlSb层和InAlAs层组成的复合势垒层；一InAs帽层，生长在上势垒层上，该InAs帽层是非有意掺杂的InAs，或者是n型掺杂的InAs。 | ||
| 搜索关键词： | 失配 衬底 锑化物高 电子 迁移率 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，生长在衬底上；一插入层，生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层，生长在插入层上，该AlSb隔离层的厚度为![]()
一子沟道层，生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层，生长在子沟道层上，该锑化物下势垒层的厚度为![]()
一InAs沟道层，生长在锑化物下势垒层上，该InAs沟道层的厚度为![]()
一锑化物隔离层，生长在InAs沟道层上，该锑化物隔离层的厚度为![]()
一掺杂层，生长在锑化物隔离层上，该掺杂层是Si平面掺杂的InAs，或者是Te的δ掺杂，其厚度为![]()
一上势垒层，生长在掺杂层上，该上势垒层是由AlSb层和InAlAs层组成的复合势垒层，该上势垒层的厚度为![]()
其In的摩尔含量为0.2-0.6；一InAs帽层，生长在上势垒层上，该InAs帽层是非有意掺杂的InAs，或者是n型掺杂的InAs，其厚度为![]()
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