[发明专利]InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法有效
| 申请号： | 201110283054.X | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102299066A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 邢东;冯志红;王晶;刘波;房玉龙;敦少博 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法，涉及半导体器件或部件的制造或处理技术领域，包括以下步骤：（1）碱性腐蚀液腐蚀InxAlN：将待腐蚀InxAlN晶圆片用碱性腐蚀液腐蚀，碱性腐蚀液为能腐蚀InxAlN材料的碱性溶液，0≤x＜1；（2）酸性腐蚀液清洗颗粒状残余物：用酸性腐蚀液腐蚀InxAlN晶圆片，0≤x＜1；（3）按先步骤（1）后步骤（2）的顺序或先步骤（2）后步骤（1）的顺序循环至达到腐蚀要求，循环结束于步骤（1）或步骤（2）。本发明解决了现有技术中湿法化学选择腐蚀去除InxAlN层时表面粗糙、有残留的工艺问题，实现高质量的选择腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | inaln 材料 酸碱 交替 选择 湿法 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
InAlN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法，其特征在于包括以下步骤：（1）碱性腐蚀液腐蚀InxAlN：将待腐蚀InxAlN晶圆片用碱性腐蚀液腐蚀，碱性腐蚀液为能腐蚀InxAlN材料的碱性溶液，0≤x＜1；（2）酸性腐蚀液清洗颗粒状残余物：用酸性腐蚀液腐蚀InxAlN晶圆片，酸性腐蚀液为HCl、HF、H3PO4或HNO3的水溶液，0≤x＜1；（3）按先步骤（1）后步骤（2）的顺序或先步骤（2）后步骤（1）的顺序循环至达到腐蚀要求，循环结束于步骤（1）或步骤（2）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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