[发明专利]形成具有绝缘环形环的导电TSV的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201110283422.0 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102412197A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | R.A.佩盖拉;B.T.杜;N.苏蒂万森索恩 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;卢江 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及形成具有绝缘环形环的导电TSV的方法和半导体器件。一种半导体晶片具有在晶片的有源表面上形成的绝缘层。在绝缘层上形成导电层。从半导体晶片的背表面通过半导体晶片和绝缘层至导电层形成第一通孔。在第一通孔中沉积导电材料以形成导电TSV。可以在第一通孔中沉积绝缘材料以在导电通孔内形成绝缘芯。在形成导电TSV之后，在导电TSV周围从半导体晶片的背表面通过半导体晶片和绝缘层至导电层形成第二通孔。在第二通孔中沉积绝缘材料以形成绝缘环形环。导电通孔可以凹陷在半导体管芯的表面内或延伸到其之上。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 绝缘 环形 导电 tsv 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体晶片；在半导体晶片的有源表面上形成绝缘层；在绝缘层上形成导电层；从与有源表面相对的半导体晶片的背表面、通过半导体晶片和绝缘层至导电层形成第一通孔；在第一通孔中沉积导电材料以形成导电穿硅通孔（TSV）；在形成导电TSV之后，在导电TSV周围从半导体晶片的背表面通过半导体晶片和绝缘层至导电层形成第二通孔；以及在第二通孔中沉积第一绝缘材料以形成绝缘环形环。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新科金朋有限公司，未经新科金朋有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110283422.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种毛笔及其制造方法
- 下一篇：一种点阵金属-泡沫铝复合材料及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
