[发明专利]利用缓冲层技术提高透明导电层穿透率之技术无效
| 申请号： | 201110283649.5 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103022230A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 简唯伦;刘幼海;刘吉人 | 申请（专利权）人： | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明主要是利用缓冲层技术提高透明导电层穿透率之技术，以加入缓冲层于玻璃与透明导电层之间，调整其光折射率方式来增加光穿透率，提升太阳能电池发电效率。在镀制透明导电薄膜层之前，先在玻璃基板上镀制一层折射率在1.5 | ||
| 搜索关键词： | 利用 缓冲 技术 提高 透明 导电 穿透 | ||
【主权项】：
本发明主要是利用缓冲层技术提高透明导电层穿透率之技术，以加入缓冲层于玻璃与透明导电层之间，调整其光折射率方式来增加光穿透率，提升太阳能电池发电效率;在镀制透明导电薄膜层之前，透明薄膜材料当作缓冲层，减少玻璃基板与透明导电层之间的折射率差异，增加光穿透的机率，以提升太阳能电池有效光源。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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