[发明专利]金属层冗余金属填充测试光掩模设计和应用有效
| 申请号： | 201110285096.7 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102446826A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 毛智彪;郑春生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G03F1/44 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属层冗余金属填充测试光掩模的设计和应用，提出一种具有多种应用功能的金属层冗余金属填充测试光掩模的设计及其应用。使用本发明的光掩模可以有效地提高金属层冗余金属填充设计和金属层化学机械研磨工艺开发的效率，有效地提高预测经过金属层化学机械研磨后的平坦度和需要的图形密度调整的效率，同时，可以减少光刻工艺模块中所使用测试光掩模的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 冗余 填充 测试 光掩模 设计 应用 | ||
【主权项】：
一种金属层冗余金属填充测试光掩模设计，其特征在于，包括有一版图，所述版图由n×m个不同图形密度形成的区域，所述不同图形密度区域内包括多重转折结构的自屏蔽高密度电容、亚分辨率辅助图形、可分辨辅助图形和冗余图形阵列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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