[发明专利]一种基于全低温工艺的柔性透明1T1R的制造方法无效
| 申请号： | 201110285132.X | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102332430A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;房润辰;杨雯;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于低温原子层淀积技术领域，具体为一种柔性透明1T1R存储单元的制造方法。本发明通过全低温工艺在柔性衬底上生长全透明的1T1R存储单元，包括透明的氧化层介质、透明电极和透明衬底，这些透明层通过低温工艺淀积到一起，实现了一个全透明的器件，其同样能够实现非透明器件的功能。本发明可在未来柔性低温存储单元制造中得到应用，并且改变目前器件的封装和存在方式，使得可折叠和可弯曲式便携式存储单元成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 低温 工艺 柔性 透明 t1r 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性透明1T1R存储单元的制造方法，其特征在于具体步骤包括：提供一个柔性衬底；在所述柔性衬底上形成栅电极；覆盖所述栅电极形成栅氧化层；在所述栅氧化层上形成透明氧化物沟道；在所述氧化物沟道两侧形成源、漏电极；在所述漏电极上形成氧化物阻变存储层；在所述氧化物阻变存储层上形成顶电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
