[发明专利]电流相对于由电极定义的轴横向流动的相变化只读存储器无效
| 申请号： | 201110285521.2 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102420287A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;林仲汉 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电流相对于由电极定义的轴横向流动的相变化只读存储器装置，该装置具有相变化结构，相变化结构包括介于电极的接触表面与介电结构之间的薄部分。举例来说，薄部分的最大厚度小于电极的接触表面的最大宽度。于另一范例中，相变化结构围绕介电结构。几种变化例改善了相变化结构与电极之间的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 相对于 电极 定义 横向 流动 相变 只读存储器 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，包括：一第一电极；一第二电极，相对于该第一电极；一介电结构，配置在该第一电极与该第二电极之间；以及一相变化存储器结构，与该第一电极接触并与该第二电极接触，该相变化存储器结构围绕该介电结构。
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