[发明专利]一种异质结黑硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明涉及太阳能电池制备技术领域，具体涉及一种异质结黑硅太阳能电池的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：对硅片表面进行处理，形成黑硅；将所述黑硅放置于原子层沉积设备反应腔中；在所述黑硅表面生长一层镍金属；向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳氢物质，通过等离子体放电，形成碳原子，所述碳原子自发积累在所述镍金属表面形成碳纳米管结构；在所述碳纳米管表面涂上反射增透膜，形成异质结黑硅太阳能电池。本发明通过ALD技术把黑硅材料和CNT材料有机的结合，使用本发明制备出的太阳能电池具有透光性强，转化效率高等特点。

主权项

一种异质结黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：对硅片表面进行处理，形成黑硅；将所述黑硅放置于原子层沉积设备反应腔中；在所述黑硅表面生长一层镍金属；向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳氢物质，通过等离子体放电，形成碳原子，所述碳原子自发积累在所述镍金属表面形成碳纳米管结构；在所述碳纳米管表面涂上反射增透膜，形成异质结黑硅太阳能电池。