[发明专利]一种外延片退火方法有效
| 申请号： | 201110288045.X | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103021844A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 柯创基;张旺 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种外延片退火方法，包括步骤：S1、提供一个外延片，在外延片的p型氮化物表面布置至少一个导电球，所述导电球与外延片的p型氮化物表面紧密接触，然后将导电球与退火炉内的低压交流电电极连接；S2、在退火炉内通入N2和O2的混合气体，将退火炉内的温度升到800-1000℃的高温状态；S3、打开退火炉传送门，将放置有外延片的载物台快速推进退火炉内并关闭，让外延片在通有交流电的短时间高温状态下完成退火；S4、将退火炉的温度降到450-650℃的低温状态，提高O2在混合气体中所占的比例；S5、让外延片在通有交流电的低温状态下完成退火，然后将退火炉传送门打开，取出外延片。本发明能够使p层激活的程度大为提升，外延片的亮度和电学特性都得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种外延片退火方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、提供一个外延片，在外延片的p型氮化物表面布置至少一个导电球，所述导电球与外延片的p型氮化物表面紧密接触，然后将导电球与退火炉内的低压交流电电极连接；S2、在退火炉内通入N2和O2的混合气体，将退火炉内的温度升到800‑1000℃的高温状态；S3、打开退火炉传送门，将放置有外延片的载物台快速推进退火炉内并关闭，让外延片在通有交流电的短时间高温状态下完成退火；S4、将退火炉的温度降到450‑650℃的低温状态，提高O2在混合气体中所占的比例；S5、让外延片在通有交流电的低温状态下完成退火，然后将退火炉传送门打开，取出外延片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
