[发明专利]保护厚金属层光刻对准标记的方法无效
| 申请号： | 201110288823.5 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103021803A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 苏波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/312;G03F7/00;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种保护厚金属层光刻对准标记的方法，包括以下步骤：第一步，在介质层的表面形成光刻对准标记；第二步，在介质层的表面涂布光刻胶；第三步，对涂布有光刻胶的晶片进行曝光、显影，保留光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，去除其它区域覆盖的光刻胶；第四步，在晶片表面沉积厚金属层；第五步，剥离光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的厚金属层。本发明采用光刻胶剥离工艺保护厚金属层光刻对准标记，使对准标记完全不受厚金属层工艺的影响，能够从根本上解决厚金属层光刻对准的问题。本发明能够使厚金属层覆盖后，光刻对准标记仍保持原来的形貌，使光刻对准过程容易实现，提高了光刻对准的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 金属 光刻 对准 标记 方法 | ||
【主权项】：
一种保护厚金属层光刻对准标记的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在介质层的表面形成光刻对准标记；第二步，在介质层的表面涂布光刻胶；第三步，对涂布有光刻胶的晶片进行曝光、显影，保留光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶，去除其它区域覆盖的光刻胶；第四步，在晶片表面沉积厚金属层；第五步，剥离光刻对准标记所在区域上覆盖的光刻胶及该光刻胶上覆盖的厚金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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