[发明专利]一种用于离子中性化的网板结构有效
| 申请号： | 201110289007.6 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102332385A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于离子中性化的网板结构，属于中性离子刻蚀技术领域。所述网板结构包括上网板和中性化网板，中性化网板上设置有多个网孔，中性化网板横截面的上下表面不同区域的厚度分布形式不同。本发明通过改变中性化网板的厚度分布，来调节芯片上方不同区域中性粒子与离子的流量比例，改变中性粒子束的密度分布，从而调节刻蚀结果的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 离子 中性 板结 | ||
【主权项】：
一种用于离子中性化的网板结构，所述网板结构包括上网板和中性化网板，其特征在于，所述中性化网板上设置有多个网孔，所述中性化网板横截面的上下表面不同区域的厚度分布形式不同。
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