[发明专利]用于补偿磁噪声的系统与方法有效
| 申请号： | 201110289040.9 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102810494A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | K·奇科;A·利特曼;Y·纳春 | 申请（专利权）人： | 应用材料以色列公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉;邢德杰 |
| 地址： | 以色列瑞*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 一种用于带电粒子束位置的噪声补偿的系统及方法，包含一个或多个传感器，传感器彼此间隔以在至少一个预定频带内感测磁噪声，藉此提供具有同步检测带电粒子束的位置的磁噪声测量值。基于磁噪声测量值及磁噪声值和粒子束位置误差值间的关系，产生磁噪声补偿信号。接着，响应于期望粒子束扫描图案及磁噪声补偿信号，藉由粒子束扫描物体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 补偿 噪声 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于粒子束的噪声补偿方法，该方法包括以下步骤：藉由至少两个传感器在至少一个预定频带内感测磁噪声，以提供磁噪声测量值，所述至少两个传感器彼此间隔；基于所述磁噪声测量值及磁噪声值和粒子束位置误差值间的关系，产生磁噪声补偿信号；及响应于期望粒子束扫描图案及所述磁噪声补偿信号，藉由所述粒子束扫描物体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
