[发明专利]光电转换元件,固态成像元件,成像设备和用于制造光电转换元件的方法有效

专利信息
申请号: 201110289309.3 申请日: 2011-09-27
公开(公告)号: CN102420236A 公开(公告)日: 2012-04-18
发明(设计)人: 三井哲朗;藏本有纪 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/335
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 陈平
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及光电转换元件,固态成像元件,成像设备和用于制造光电转换元件的方法。光电转换元件包括绝缘膜,第一电极,光接收层和第二电极。第一电极在绝缘膜上形成并且由氧氮化钛制成。光接收层在第一电极上形成并且包含有机材料。刚好在形成光接收层之前的第一电极的组成满足以下要求:(1)在整个第一电极中含有的氧的量是钛的量的75原子%以上,或(2)在从第一电极的基板侧至10nm的范围内或在从第一电极的基板侧至第一电极的厚度的2/3的范围内,氧的量是钛的量的40原子%以上。
搜索关键词: 光电 转换 元件 固态 成像 设备 用于 制造 方法
【主权项】:
一种光电转换元件,所述光电转换元件包括:绝缘膜,其形成在基板上并且由氧化物膜制成;第一电极,其形成在所述绝缘膜上;光接收层,其形成在所述第一电极上并且包含有机材料;和第二电极,其形成在所述光接收层上,其中所述第一电极由氧氮化钛制成,并且刚好在形成所述光接收层之前的所述第一电极的组成满足:要求(1):在整个所述第一电极中含有的氧的量是钛的量的75原子%以上,或要求(2):在从所述第一电极的基板侧至10nm的范围内或在从所述第一电极的基板侧至所述第一电极的厚度的2/3的范围内,氧的量是钛的量的40原子%以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社,未经富士胶片株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110289309.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top