[发明专利]电子可擦除式只读存储器单元有效
| 申请号： | 201110291129.9 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102412132A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 郑盛文;林建锋;杨剑波;胡瑞德;S·许 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8247;H01L29/423;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子可擦除式只读存储器单元，本发明是揭露一种形成器件的方法。该方法包括提供一衬底，其以通过隔离区域将单元面积与其它主动面积分隔的方式制备。于该单元面积中形成第一晶体管及第二晶体管的第一栅极及第二栅极。该第一栅极包括通过第一栅极间介电层分隔的第一子栅极及第二子栅极。该第二栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极。该第二栅极的第一及第二子栅极是通过第二栅极间介电层分隔。形成第一及第二晶体管的第一及第二接面。该方法亦包括形成耦合至该第一晶体管的该第二子栅极的第一栅极终端以及形成耦合至该第二晶体管的至少该第一子栅极的第二栅极终端。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 擦除 只读存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种形成器件的方法，包含：提供一衬底，其以通过隔离区域将单元面积与其它主动面积分隔的方式制备；于该单元面积中形成第一晶体管及第二晶体管的第一栅极及第二栅极，其中，该第一栅极包括通过第一栅极间介电层分隔的第一及第二子栅极，且该第二栅极包括围绕第一子栅极的第二子栅极，该第二栅极的该第一及第二子栅极是通过第二栅极间介电层分隔；形成该第一及第二晶体管的第一及第二接面；形成耦合至该第一晶体管的该第二子栅极的第一栅极终端；以及形成耦合至该第二晶体管的至少该第一子栅极的第二栅极终端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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