[发明专利]一种确定中低能电子非弹性散射的方法有效
| 申请号： | 201110291333.0 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102507608A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张娜;崔万照 | 申请（专利权）人： | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | G01N23/00 | 分类号： | G01N23/00;G01N23/22 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 710100 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种确定中低能电子非弹性散射的方法，包括确定与电子互相作用的等离子体激元的中心频率上限的步骤；确定离散能量点上等离子体激元与电子相互作用的权重函数的步骤；确定各等离子体激元与电子相互作用的0阶贡献和1阶贡献的步骤；和确定非弹性散射的散射截面和散射角的步骤。采用本发明所述方法可以快速、精确的获得电子与固体相互作用发生非弹性散射的散射截面和散射角。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 确定 低能 电子 非弹性散射 方法 | ||
【主权项】：
1.一种确定中低能电子非弹性散射的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)根据电子发生非弹性散射前的电子能量E和非弹性散射中转移的能量ΔE，确定与电子相互作用的等离子体激元的中心频率上限ωm；(2)根据材料的光学能量损失函数在离散能量点Epk上的值Im{-1/ε(Ep)}，确定Em以内离散能量点上的权重函数W(ΔE，Epk)，Em为中心频率上限对应的能量上限；(3)根据离散能量点上的权重函数W(ΔE，Epk)，按照线性插值的方法确定各等离子体激元与电子相互作用的0阶贡献![]()
和1阶贡献![]()
(4)利用步骤(3)中得到的等离子体激元与电子作用的贡献，确定转移能量为ΔE的微分非弹性散射截面，并确定发生非弹性散射后的原电子散射角θIE及产生的二次电子散射角θSE。
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