[发明专利]鳍形半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 201110291343.4 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102938372A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 林智清;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种鳍形半导体结构的制造方法，包括：提供半导体基板，该半导体基板上具有半导体岛与介电层；在该半导体岛及该介电层上形成罩幕层；在该罩幕层内形成开口，该开口露出该半导体岛的顶面以及邻近该半导体岛的该介电层的部分顶面；施行蚀刻程序，同时蚀刻该罩幕层的一部分以及由该开口露出的该部分半导体岛与该介电层；以及移除该罩幕层与该介电层，在该半导体基板上留下具有圆滑化顶面及不同厚度的、经蚀刻的半导体岛。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍形半导体结构的制造方法，包括：提供半导体基板，所述半导体基板上具有半导体岛与介电层；在所述半导体岛及所述介电层上形成罩幕层；在所述罩幕层内形成开口，所述开口露出所述半导体岛的顶面以及邻近所述半导体岛的所述介电层的部分顶面；施行蚀刻程序，同时蚀刻所述罩幕层的一部分以及由所述开口露出的部分半导体岛与所述介电层；以及移除所述罩幕层与所述介电层，在所述半导体基板上留下具有圆滑化顶面及不同厚度的、经蚀刻的半导体岛。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
