[发明专利]一种图形化的石墨烯场发射阴极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110292565.8 申请日: 2011-09-30
公开(公告)号: CN102339712A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 李福山;郭太良;吴朝兴;张永志;张蓓蓓;寇丽杰 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01J29/04 分类号: H01J29/04;H01J9/02
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350001 福*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种图形化的石墨烯场发射阴极及其制备方法,包括阴极基板,设置于阴极基板表面的阴极和设置于阴极表面的石墨烯层,并在阴极与石墨烯之间引入导电性粘附层,通过光刻-剥离技术实现石墨烯层的图形化制备,从而获得图形化的场发射阴极。本发明提供的石墨烯场发射阴极,其电子发射电流密度大、工艺过程简单、成本低、发射稳定均匀,实现了图形化制备,适用于场发射显示器、场发射平面光源、液晶显示器用场发射背光源和真空电子器件冷阴极。
搜索关键词: 一种 图形 石墨 发射 阴极 及其 制备 方法
【主权项】:
一种图形化的石墨烯场发射阴极,包括阴极基板,设置于阴极基板表面的阴极和设置于阴极表面的石墨烯层,其特征在于:所述的石墨烯层与阴极之间存在导电性粘附层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学,未经福州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110292565.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top