[发明专利]铜铟镓硒靶材连续溅射制备CIGS太阳电池吸收层的新工艺有效
| 申请号： | 201110293017.7 | 申请日： | 2011-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN102290339A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 王应民;李清华;徐章程;李禾 | 申请（专利权）人： | 南昌航空大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人： | 刘凌峰 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是新型低成本铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备新工艺。使用不同组成的CIGS靶材进行连续溅射制备出CIGS太阳电池吸收层，通过溅射(In,Ga)Se或(In,Ga)2Se3靶材和多元共蒸发In、Se金属，调整CIGS太阳电池吸收层的组成，得到p+-CuGaSe2和p-Cu(In,Ga)Se2薄膜。该工艺能明显地降低CIGS太阳电池制造成本，还能提高CIGS太阳电池光电转换效率和CIGS太阳电池的良品率。本工艺具有低成本、高稳定性，能够制造出较高光电转换效率CIGS太阳电池，具有比较好的开发价值。 | ||
| 搜索关键词： | 铜铟镓硒靶材 连续 溅射 制备 cigs 太阳电池 吸收 新工艺 | ||
【主权项】：
铜铟镓硒靶材连续溅射制备CIGS太阳电池吸收层的新工艺，其特征在于：使用不同组成的CIGS靶材来控制并调整CIGS太阳电池吸收层的组成，提高CIGS太阳电池光电转换效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
