[发明专利]一种单层ITO抗干扰的处理方法无效
| 申请号： | 201110293111.2 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102368187A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 樊永召;金莉;张开立 | 申请（专利权）人： | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及单层ITO抗干扰的处理方法，所述ITO层由若干个触控电极块组成，形成若干纵行和纵列，且均匀分布在玻璃基板上，其步骤如下：首先，所述电极块上引出的导线分别与所述玻璃基板的各个外围处之间的间隙内布设一层ITO；然后，将所述间隙内的ITO层接地，从而实现抗干扰的处理目的。本发明所述方法，将玻璃基板的外围处又填充了一种不同于电极块组成的ITO层，所以可以起到抗干扰的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 ito 抗干扰 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种单层ITO抗干扰的处理方法，所述ITO层由若干个触控电极块组成，形成若干纵行和纵列，且均匀分布在玻璃基板上，其步骤如下：首先，所述电极块上引出的导线分别与所述玻璃基板的各个外围处之间的间 隙内布设一层ITO；然后，将所述间隙内的ITO层接地，从而实现抗干扰的处理目的。
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