[发明专利]化合物半导体发光元件的制造方法无效
| 申请号： | 201110293601.2 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102447022A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 谷本佳美;园田孝德 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种化合物半导体发光元件的制造方法，其可以实现下述中的至少任一项：使化合物半导体发光元件中含有的透光性氧化物导电膜的透光率提高、薄层电阻降低、薄层电阻的面内分布均匀化、以及相对于接触层的接触电阻降低。在化合物半导体发光元件的制造方法中，将含有发光层的化合物半导体叠层体沉积在基板上，将透光性氧化物导电膜沉积在该化合物半导体叠层体上，对该透光性氧化物导电膜退火，然后在真空氛围中进行冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
化合物半导体发光元件的制造方法，其包括：在基板上沉积包含发光层的化合物半导体叠层体，在所述化合物半导体叠层体上沉积透光性氧化物导电膜，对所述透光性氧化物导电膜进行退火，然后在真空氛围中对该透光性氧化物导电膜进行冷却。
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