[发明专利]液晶显示装置有效
| 申请号： | 201110294275.7 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102419499A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 安生健二;大谷智彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立显示器;松下液晶显示器株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;孟祥海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种液晶显示装置。栅电极形成在TFT基板之上，覆盖该栅电极地形成栅极绝缘膜，在其上形成半导体层。漏电极和源电极配置在半导体层上。平面形状的像素电极形成在栅极绝缘膜之上。在形成漏电极、源电极、视频信号线等之前先形成像素电极，其后形成源电极等。由此在对ITO形成图案时，能够防止在ITO上存在气孔等时因经由显影液的电池作用而使视频信号线、漏电极、源电极等受侵蚀而引起断线。根据本发明，能够在减少层数的IPS方式的液晶显示装置中，防止视频信号线、漏电极、源电极的断线，提高制造成品率并提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
一种具有液晶显示板的液晶显示装置，该液晶显示板具有TFT基板和对置基板，并在上述TFT基板与上述对置基板之间夹持有液晶，上述液晶显示装置的特征在于，在上述TFT基板上按照栅电极、栅极绝缘膜、半导体层的顺序形成有栅电极、栅极绝缘膜、半导体层，在上述半导体层上配置有漏电极和源电极，由ITO形成的平面形状的像素电极被配置在上述栅极绝缘膜之上，在上述像素电极之上形成有绝缘膜，由ITO形成的梳齿状的公共电极被配置在上述绝缘膜之上，上述像素电极的一部分与上述源电极以上述像素电极成为下层的状态直接层叠。
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