[发明专利]成膜基板的制造方法、成膜基板及成膜装置无效
申请号: | 201110295469.9 | 申请日: | 2011-09-27 |
公开(公告)号: | CN102447005A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 岩田宽 | 申请(专利权)人: | 住友重机械工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜基板的制造方法、成膜基板及成膜装置,所述成膜基板实现了提高玻璃基板与钼层的粘附力。在含有预定量氧的第1气氛中,在玻璃基板(2)的表面成膜第1钼层(3a),在含氧率低于第1气氛的第2气氛中,在第1钼层(3a)的表面成膜第2钼层(3b)。由此,能够在玻璃基板(2)上成膜包含氧化钼的粘附层(3a),并在该粘附层(3a)上成膜钼层(3b)。 | ||
搜索关键词: | 成膜基板 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜基板的制造方法,制造在玻璃基板上成膜有钼的成膜基板,其特征在于,该制造方法具备:第1成膜工序,在含有氧的第1气氛中,在所述玻璃基板的表面成膜第1钼层;及第2成膜工序,在含氧率低于所述第1气氛的第2气氛中,在所述第1钼层的表面成膜第2钼层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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