[发明专利]衬底、外延片及半导体器件无效
| 申请号： | 201110295490.9 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102324435A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 顾昱;钟旻远;林志鑫;陈斌 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面设置有第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层表面设置有多晶硅层；多晶硅层表面设置有第二多晶硅层。本发明的另一个优点是能够提高外延片的平坦度，且可提高外延层的电阻率均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 外延 半导体器件 | ||
【主权项】：
衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面设置有第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层表面设置有多晶硅层；多晶硅层表面设置有第二多晶硅层。
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