[发明专利]光致抗蚀剂和光刻方法有效
| 申请号： | 201110295647.8 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103034059A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 伍强;顾一鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/039 | 分类号： | G03F7/039;G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 马景辉 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光致抗蚀剂以及使用该光致抗蚀剂进行光刻的方法。光致抗蚀剂中含有第一组分和第二组分，并且第一组分和第二组分对光的敏感波段基本不同。通过使用波长为两个敏感波段之一的光对光致抗蚀剂进行曝光，使得第一组分产生第一化学物质，然后使用另一个敏感波段的光对光致抗蚀剂进行均匀照射，使得第二组分产生第二化学物质，从而能够改善在光致抗蚀剂中所形成的第一化学物质的潜像的对比度，由此得到的光刻图案具有更好的边缘粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光致抗蚀剂，包括：基质树脂；用于产生化学放大作用的第一组分，该第一组分能够在第一波段的光的照射下产生第一化学物质，所述第一化学物质能够与所述基质树脂发生反应以形成潜像；以及第二组分，该第二组分能够在第二波段的光的照射下产生第二化学物质，所述第二化学物质能够与所述第一化学物质发生反应，从而降低第一化学物质在光致抗蚀剂中的质量浓度。
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