[发明专利]高压N型结型场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种高压N型结型场效应晶体管的制造方法，包括步骤：提供P型半导体衬底，其上形成有P型埋层，作为背栅；在P型半导体衬底上形成P型外延层；在P型外延层上形成多个LOCOS，隔离出漏极、栅极、源极和背栅引出端的位置；在P型外延层中注入N型杂质，经过扩散形成低浓度N阱；在栅极的位置处注入P型杂质，经过扩散形成P型体区，作为栅极；在漏极与栅极之间的LOCOS上形成场板；在漏极和源极的位置处注入N型杂质形成漏极和源极，在栅极和背栅引出端的位置处注入P型杂质形成栅极引出端和背栅引出端。相应地，本发明还提供一种高压N型结型场效应晶体管。本发明能够减小漏极端的电场强度，增大安全工作区和击穿电压，与60V高压BCD工艺相兼容。

主权项

一种高压N型结型场效应晶体管(200)的制造方法，包括步骤：提供P型半导体衬底(201)，其上形成有P型埋层(202)，作为所述晶体管(200)的背栅；在所述P型半导体衬底(201)上形成P型外延层(203)；在所述P型外延层(203)上形成多个局部氧化隔离(204)，隔离出所述晶体管(200)的漏极(211)、栅极(207)、源极(212)和背栅引出端(213)的位置；在所述P型外延层(203)中注入N型杂质，经过扩散形成所述晶体管(200)的低浓度N阱(205)；在所述栅极(207)的位置处注入P型杂质，经过扩散形成P型体区(206)，作为所述晶体管(200)的栅极(207)；在所述漏极(211)与所述栅极(207)之间的所述局部氧化隔离(204)上形成场板(208)；在所述漏极(211)和所述源极(212)的位置处注入N型杂质形成漏极(211)和源极(212)，以及在所述栅极(207)和所述背栅引出端(213)的位置处注入P型杂质形成栅极引出端(214)和背栅引出端(213)。