[发明专利]银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201110296002.6 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102412400A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 麦立强;许絮;韩春华;高倩 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/60 | 分类号： | H01M4/60;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线及其制备方法，以及该材料作为锂离子电池正极活性材料的应用其具有明显的三同轴结构，长度为10~30微米，直径为60-100纳米，其中核为β-AgVO3纳米线，中间层为β-AgVO3纳米线表面失去部分银离子而产生的银钒氧化物层，最外层为聚合物层，最外层厚度为6~10纳米，中间层厚度为6~10纳米，本发明的有益效果是：该纳米线作为锂离子电池正极活性材料时，表现出显著提高的比容量和循环稳定性；且制得的材料纯度高、分散性好；还有，相对于其他制备三同轴纳米线的方法，化学原位聚合以水为介质，在常温常压下经过短时间搅拌即可实现三同轴纳米线的合成，利于市场化推广。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 聚合物 同轴 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
银钒氧化物/聚合物三同轴纳米线，其特征在于其具有明显的三同轴结构，长度为10~30微米，直径为60‑100纳米，其中核为β‑AgVO3纳米线，中间层为β‑AgVO3纳米线表面失去部分银离子而产生的银钒氧化物层，最外层为聚合物层，最外层厚度为6~10纳米，中间层厚度为6~10纳米。
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