[发明专利]化学机械研磨装置有效

专利信息
申请号: 201110296305.8 申请日: 2011-09-30
公开(公告)号: CN102320029A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 邵军;陈洪雷;刘波 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: B24B37/00 分类号: B24B37/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种化学机械研磨装置,包括硅片研磨装置和真空产生装置,所述真空产生装置和所述硅片研磨装置相连,所述真空产生装置包括:真空发生器;第一气体供应装置,通过第一导管和所述真空发生器相连;第二气体供应装置,通过第三导管和所述真空发生器相连;第二导管,其一端和所述第一导管相连,在相连处形成T形导通结构,且在所述T形导通处设置一气控三通阀门,另一端和所述硅片研磨装置相连;所述真空产生装置还包括一阀门,所述阀门设置于所述第三导管上。本发明化学机械研磨装置第三导管上加装一阀门,控制真空发生器的气体的供应,减少了气体的供应量,避免了气体的浪费。
搜索关键词: 化学 机械 研磨 装置
【主权项】:
一种化学机械研磨装置,包括硅片研磨装置和真空产生装置,所述真空产生装置和所述硅片研磨装置相连,所述真空产生装置包括:真空发生器;第一气体供应装置,通过第一导管和所述真空发生器相连;第二气体供应装置,通过第三导管和所述真空发生器相连;第二导管,其一端和所述第一导管相连,在相连处形成T形导通结构,且在所述T形导通处设置一气控三通阀门,另一端和所述硅片研磨装置相连;其特征在于:所述真空产生装置还包括一阀门,所述阀门设置于所述第三导管上。
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