[发明专利]一种利用辉光颜色控制等离子刻蚀反应速率的方法无效
申请号: | 201110297548.3 | 申请日: | 2011-10-08 |
公开(公告)号: | CN103035505A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 周艺;郭长春;肖斌;欧衍聪;何文红;李荡;黄燕 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410114 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明属于半导体光电技术领域,具体涉及到一种利用辉光颜色控制等离子刻蚀反应速率的方法。该等离子刻蚀气体成分主要为O2、N2和CF4组成,各组分流量比为O2:N2:CF4=1:1~3:6~10。本发明特点为在等离子刻蚀辉光过程中,通入定量的氮气,而氮气辉光时,会产生红色,当等离子刻蚀反应速率不同时,辉光的颜色也不同,反应速率由快到慢,分别为浅粉色,粉红色,红色。通过调整辉光时的颜色,确定最佳的辉光功率和时间,可以较容易的控制等离子刻蚀反应速率,进而解决了太阳电池生产过程中,出现的过度刻蚀及刻蚀不足现象。此方法简单、实用,只需简单改进现有等离子刻蚀机设备,不增加生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 辉光 颜色 控制 等离子 刻蚀 反应 速率 方法 | ||
【主权项】:
一种利用辉光颜色控制等离子刻蚀反应速率的方法,其特征包括以下工艺步骤:1)放入硅片,关上反应室门,打开真空泵,将腔室压力抽到5mTorr以下;2)通入反应气体,O2的流量为40~50sccm,N2的流量为40~150sccm,CF4流量为240~500sccm,压力恒定到300~400mTorr;3)打开高频电源,进行辉光,通过观察辉光颜色,来确定最佳的射频功率(800~900W)和反应时间(700~1000s);4)关闭高频电源,停止通入反应气体,将腔室压力抽到5mTorr以下时,通入N2,直到反应室内压强为标准大气压,打开反应室门,取出硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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