[发明专利]一种超材料介质基板材料及其制备方法有效
申请号: | 201110297857.0 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN103011822A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 刘若鹏;赵治亚;缪锡根;安娜·玛丽亚·劳拉·博卡内格拉;林云燕;曹燕归;付珍 | 申请(专利权)人: | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/63;C04B35/622;C04B35/645 |
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地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种超材料介质基板材料及其制备方法,包括以下步骤,1011.将碳化硅粉末、溶剂、烧结助剂混合后研磨成细小颗粒;1012.将研磨后的细小颗粒用超声洗涤并干燥;1013.利用热等静压工艺对细小颗粒进行液相烧结,得到碳化硅陶瓷原材;1014.将上述步骤得到的碳化硅陶瓷烧结成碳化硅陶瓷多层板;102.根据需要选择不同质量比的碳化硅和烧结助剂,重复上述步骤,得到不同的碳化硅陶瓷多层板,将其烧结形成超材料的介质基板材料。应用本发明的制备方法,可以增强超材料介质基板材料的机械性能,使介质基板材料获得超高电导率,降低基板材料的介电损耗。液相烧结具有烧结温度较低,烧结过程经济简便的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 材料 介质 板材 料及 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种超材料介质基板材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:101.制备碳化硅陶瓷多层板;102.根据需要选择不同质量比的碳化硅和烧结助剂,重复上述步骤,得到不同的碳化硅陶瓷多层板,将其烧结形成超材料的介质基板材料。
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