[发明专利]一种超材料介质基板材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110297890.3 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103011824A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;缪锡根;安娜·玛丽亚·劳拉·博卡内格拉;林云燕;曹燕归;付珍 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/577 | 分类号： | C04B35/577;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超材料介质基板材料及其制备方法，包括以下步骤，1011.将掺硼纳米碳化硅粉末、溶剂、表面活性剂混合后研磨成细小颗粒；1012.将研磨后的细小颗粒用超声洗涤并干燥；1013.利用热等静压工艺将细小颗粒烧结成掺硼纳米碳化硅陶瓷；102.根据需要选择不同质量比的硼和纳米碳化硅，重复上述步骤，得到不同的陶瓷，将其烧结形成超材料的介质基板材料。应用本发明的制备方法，可以提高超材料介质基板材料的热导率，降低基板材料的介电损耗。另外，在制备碳化硅陶瓷材料的过程中掺入硼粉末作添加剂，明显降低了碳化硅陶瓷材料的整体烧结温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 材料 介质 板材 料及 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超材料介质基板材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：101.制备掺硼纳米碳化硅陶瓷；102.根据需要选择不同质量比的硼和纳米碳化硅，重复上述步骤，得到不同的陶瓷，将其烧结形成超材料的介质基板材料。
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