[发明专利]边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底以及其制造方法有效
申请号: | 201110298151.6 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN103035652A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 柳智忠;江冠贤;谢蓓;黎昔耀 | 申请(专利权)人: | 深超光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底以及其制造方法。在本发明的边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底中,栅极电极与共通电极是由同一光刻工艺形成在基底上,共通电极、栅极线以及栅极电极是设置在同一层,且保护层设置在像素电极上。保护层具有多个第一开口,且各第一开口至少部分暴露像素电极。 | ||
搜索关键词: | 边缘 电场 切换 液晶显示 阵列 基底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底的制造方法,其特征在于,包括:提供一基底;进行一第一光刻工艺,用以在该基底上形成多条栅极线、多个栅极电极以及一共通电极,该第一光刻工艺包括:形成一第一导电层于该基底上,并在该第一导电层上形成一第一图案化光阻;去除未被该第一图案化光阻覆盖的该第一导电层,用以在该基底上形成该多个栅极线与该多个栅极电极;形成一第一透明导电层,覆盖该基底与该第一图案化光阻;以及剥离该第一图案化光阻以及覆盖在该第一图案化光阻上的该第一透明导电层,用以在该基底上形成该共通电极;形成一栅极介电层,用以覆盖该基底、该多个栅极线、该多个栅极电极以及该共通电极;进行一第二光刻工艺,形成一图案化半导体层于该栅极介电层上;进行一第三光刻工艺,形成多条数据线、多个源极电极以及多个漏极电极于该栅极介电层与该图案化半导体层上;进行一第四光刻工艺,形成多个像素电极于该栅极介电层上,其中各该像素电极与对应的该漏极电极接触用以形成电连结;以及进行一第五光刻工艺,形成一保护层于该栅极介电层、该多个数据线、该多个源极电极、该多个漏极电极以及该多个像素电极上,其中该保护层具有多个第一开口,且各该第一开口至少部分暴露该像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的