[发明专利]堆栈金属栅极的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110298465.6 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102315112A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 熊磊;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种堆栈金属栅极的刻蚀方法，包括步骤：提供控片，所述控片上形成有多晶硅层；提供产品晶圆，所述产品晶圆上依次形成有栅极氧化层、多晶硅层和金属层；设置暖机刻蚀步骤刻蚀参数，在此刻蚀参数下对控片上的多晶硅层进行刻蚀；设置主刻蚀步骤刻蚀参数，在此刻蚀参数下依次刻蚀产品晶圆上的栅极氧化层、多晶硅层和金属层，形成堆栈金属栅极。采用本发明提供的方法，消除暖机刻蚀后第1片产品的堆栈金属栅极的线宽小效应，提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 堆栈 金属 栅极 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种堆栈金属栅极的刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：提供控片，所述控片上形成有多晶硅层；提供产品晶圆，所述产品晶圆上依次形成有栅极氧化层、多晶硅层和金属层；设置暖机刻蚀步骤刻蚀参数，在此刻蚀参数下对控片上的多晶硅层进行刻蚀；设置主刻蚀步骤刻蚀参数，在此刻蚀参数下依次刻蚀产品晶圆上的栅极氧化层、多晶硅层和金属层，形成堆栈金属栅极；其特征在于，暖机刻蚀步骤刻蚀参数相对于主刻蚀步骤刻蚀参数，暖机刻蚀步骤刻蚀参数不包含能产生氟离子和氯离子的气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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