[发明专利]清洗半导体基底和形成栅介质层的方法有效
| 申请号： | 201110298507.6 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102315098A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 舒畅 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种清洗半导体基底和一种形成栅介质层的方法。所述清洗半导体基底的方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上含有碱性金属；通入卤代烃，去除所述碱性金属；通入清洗气体，去除所述卤代烃的残留物。所述形成栅介质层的方法包括：提供半导体基片；在所述半导体基片上形成栅介质层，所述栅介质层上含有碱性金属；通入卤代烃，去除所述碱性金属；通入清洗气体，去除所述卤代烃的残留物。通过本发明实施例提供的方法，能够完全去除残留在所述半导体基底或所述栅介质层上的所述卤代烃，提高所述半导体基底或所述栅介质层的厚度的均匀性，从而改善最终产品的电性能，并节省生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 半导体 基底 形成 介质 方法 | ||
【主权项】：
一种清洗半导体基底的方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上含有碱性金属；通入卤代烃，去除所述碱性金属；通入清洗气体，去除所述卤代烃的残留物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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