[发明专利]高压氮化物LED器件及其制造方法

摘要

本发明提出一种高压氮化物LED器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，在衬底上依次形成有N型氮化物成核层和外延层；蚀刻所述外延层形成N型接触电极台阶；依次蚀刻所述N型氮化物成核层，形成LED隔离沟槽，所述LED隔离沟槽暴露出所述衬底的表面；在所述N型接触电极台阶上制作N型接触电极，在所述外延层上制作P型接触电极，形成多个LED单元芯片；对所述多个LED单元芯片进行光电性能测试，并根据所述测试结果选择性的对所述多个LED单元芯片进行激光划片，以将所述多个LED单元芯片分组切割成至少一个LED模块。本发明还提供了一种高压氮化物LED器件，以降低整体LED芯片产业成本、提高成品率。

主权项

一种高压氮化物LED器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上依次形成有N型氮化物成核层和外延层；蚀刻所述外延层形成N型接触电极台阶；依次蚀刻所述N型氮化物成核层，形成LED隔离沟槽，所述LED隔离沟槽暴露出所述衬底的表面；在所述N型接触电极台阶上制作N型接触电极，在所述外延层上制作P型接触电极，形成多个LED单元芯片；对所述多个LED单元芯片进行光电性能测试，并根据所述测试结果选择性的对所述多个LED单元芯片进行激光划片，以将多个LED单元芯片分组切割成至少一个LED模块；对所述LED模块进行封装，所述LED模块中的各LED单元芯片通过引线进行串联和/或并联，形成高压氮化物LED器件。