[发明专利]固态发光半导体结构及其外延层成长方法有效
| 申请号： | 201110300138.X | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102969424A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 余长治;林孟毅 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种固态发光半导体结构及其外延层成长方法。此方法包括：提供一基板。形成多个彼此互相间隔的凸出物于基板上。形成一缓冲层于此些凸出物上，并填满或部分填满此些凸出物彼此间的间隙。形成一半导体外延堆叠层于缓冲层上，半导体外延堆叠层包括依序形成的一第一型半导体层、一有源层以及一第二型半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 发光 半导体 结构 及其 外延 成长 方法 | ||
【主权项】：
一种固态发光半导体结构的外延层成长方法，包括：提供一基板；形成多个彼此互相间隔的凸出物于该基板上；形成一缓冲层于该些凸出物上，并填满或部分填满该些凸出物彼此间的间隙；以及形成一半导体外延堆叠层于该缓冲层上，该半导体外延堆叠层包括依序形成的一第一型半导体层、一有源层以及一第二型半导体层。
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