[发明专利]硅的干法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110300744.1 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102347232B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 张振兴;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种硅的干法刻蚀方法，在去除自然氧化层之后，且在刻蚀硅之前，进行干法刻蚀，以去除聚合物；所述进行干法刻蚀的刻蚀气体包括Cl2和O2，其中所述Cl2的流量速率范围包括60sccm～150sccm；所述O2的流量速率范围包括5sccm～20sccm。本发明可以使得位于硅下表面的刻蚀停止层的表面平整光滑。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种硅的干法刻蚀方法，其特征在于，在去除自然氧化层之后，且在刻蚀硅之前，进行干法刻蚀，刻蚀气体包括Cl2和O2；所述去除自然氧化层采用干法刻蚀，刻蚀气体包括CF4、CHF3和O2；所述硅包括单晶硅或多晶硅；所述刻蚀硅采用干法刻蚀，刻蚀气体包括HBr和HeO2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
