[发明专利]内置光刻胶检测单元的退火装置、光刻胶的检测方法有效
| 申请号： | 201110300745.6 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102354665A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王硕;许忠义 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;G01N21/45 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种内置光刻胶检测单元的退火装置，包括：叉件，用于运输晶圆；晶舟，所述叉件将晶圆运输至晶舟内；退火单元，移动晶舟，使晶圆进入退火单元内；光刻胶检测单元，在进行退火之前，叉件将晶圆放入光刻胶检测单元内，进行光刻胶残留检测。相应的，本发明的实施例还提供了一种采用上述退火装置进行光刻胶检测的方法，在对晶圆退火处理前，先利用光刻胶检测单元判断所述晶圆表面是否残留有光刻胶，避免表面残留有光刻胶的晶圆进入退火单元并对其造成污染，保证了后续形成的半导体器件的质量稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 内置 光刻 检测 单元 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种内置光刻胶检测单元的退火装置，包括：叉件，用于运输晶圆；晶舟，所述叉件将晶圆运输至晶舟内；退火单元，移动晶舟，使晶圆进入退火单元内；其特征在于，还包括：光刻胶检测单元，在进行退火之前，叉件将晶圆放入光刻胶检测单元内，进行光刻胶残留检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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