[发明专利]巨磁阻抗效应二维磁场传感器无效
| 申请号： | 201110300794.X | 申请日： | 2011-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103033770A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 周志敏 | 申请（专利权）人： | 周志敏;刘明;胡晓东 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201807 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种属于传感器技术领域的巨磁阻抗效应二维磁场传感器，本发明由基片上1两个正交的巨磁阻抗效应磁敏传感器2和3，以及集成电路信号处理模块4组成，每个磁敏传感器2和3由非晶薄带4，以及以其为磁芯的信号采集线圈5，绝缘填充材料6以及两端的Cu导线7，以及电极引脚8组成，传感器的非晶薄带的各向异性场沿着宽度方向，具有直线，曲折几何形状，传感器为通过微机电系统MEMS工艺制造。传感器工作时，信号处理模块提供磁芯中流过0.1-100MHz的高频交流信号或者0.1ns的脉冲信号，信号采集线圈用于感应磁芯对外磁场的反应，由于磁敏传感器对沿着线条长度方向的磁场具有最大灵敏度，因此可以分别对芯片平面内沿着线条长度方向的磁场分量进行测量，从而确定磁场在平面内的方向和大小。本发明可以作为电子指南针来确定汽车，手机等的姿态，具有体积小，反应灵敏度高，快速响应，低功耗的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 二维 磁场 传感器 | ||
【主权项】：
一种巨磁阻抗二维磁场传感器，其特征在于，由基片1上两个正交的巨磁阻抗效应磁敏传感器2和3，以及集成电路信号处理模块4组成，磁敏传感器2和3分别测量平面磁场的两个磁场分量，集成电路信号处理模块4用于产生磁敏传感器的信号激励信号以及采集其对外磁场的相应信号进行处理和合成；
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