[发明专利]对于金属薄膜的CVD/ALD有用的锑及锗复合物有效
| 申请号： | 201110300900.4 | 申请日： | 2007-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102352488A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 威廉·杭克斯;陈天牛;许从应;杰弗里·F·罗德;托马斯·H·鲍姆;梅利莎·A·彼特鲁斯卡;马蒂亚斯·斯滕德;陈世辉;格雷戈里·T·施陶夫;布赖恩·C·亨德里克斯 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;H01L45/00;C07C395/00;C07F9/90;C07F19/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗-锑-碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。 | ||
| 搜索关键词： | 对于 金属 薄膜 cvd ald 有用 复合物 | ||
【主权项】：
一种用于在基板上沉积锗锑碲材料的气相沉积方法，包括：挥发包含二(正丁基，N，N‑二异丙基脒)锗的锗前体以形成含锗前体蒸汽；挥发有机锑前体以形成含锑前体蒸汽；和挥发有机碲前体以形成含碲前体蒸汽；以及使所述含锗前体蒸汽、含锑前体蒸汽和含碲前体蒸汽在有效用于沉积的条件下与所述基板接触，从而将所述锗锑碲材料沉积在所述基板上。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
