[发明专利]闪存单元结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201110301446.4 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103035648A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 王军;周玮;蔡建祥;许宗能 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;H01L29/423;G11C16/04 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种闪存单元结构，包括半导体基层和依次层叠在半导体基层上的隧穿氧化层、浮栅、绝缘介质层和控制栅，浮栅的侧壁表面植入有阻挡离子层。闪存单元结构的制作方法包括以下步骤：在半导体基层上形成依序层叠的隧穿氧化层和浮栅；在浮栅上形成依序层叠的绝缘介质层和控制栅；向浮栅的侧壁植入阻挡离子，形成浮栅的侧壁表面的阻挡离子层。当浮栅处于保持载流子的状态时，浮栅侧壁的阻挡离子层提高了载流子从浮栅逃逸的势垒高度，从而提高了闪存单元结构保存信息的持久性和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种闪存单元结构，包括半导体基层和依次层叠在所述半导体基层上的隧穿氧化层、浮栅、绝缘介质层和控制栅，其特征在于，所述浮栅的侧壁表面植入有阻挡离子层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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