[发明专利]功能性薄膜及功能性薄膜的制造方法有效
申请号: | 201110301986.2 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN102443785A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 藤绳淳;殿原浩二 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;B32B9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种功能性薄膜的制造方法,在将具有由有机材料形成的表面的长条的基板沿长度方向输送,并同时通过等离子体CVD制膜形成无机膜时,能够稳定地形成能够表现出与膜厚对应的作为目标的气体阻挡性能且时效稳定性也优良的气体阻挡膜。在电极对之间,通过使基板的输送方向的最上游位置处的等离子体电子密度比最下游位置处的等离子体电子密度低,来解决所述课题。 | ||
搜索关键词: | 功能 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种功能性薄膜,其特征在于,具有由有机材料形成的表面的基板与在所述基板上形成的无机膜的界面处的碳及无机膜的构成元素中至少一种的原子%为5%以上的区域的厚度为3~15nm。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的