[发明专利]非易失性存储元件、非易失性存储元件组及其制造方法

摘要

本发明提供了非易失性存储元件组、非易失性存储元件及其制造方法，所述非易失性存储元件组包括：(A)第一绝缘层；(B)第二绝缘层，其具有第一凹部以及与第一凹部连通的第二凹部，且第二凹部的宽度大于第一凹部的宽度，并且第二绝缘层布置于第一绝缘层上；(C)多个电极，它们布置于第一绝缘层中，并且多个电极的顶面从第一凹部的底面露出；(D)信息存储层，其形成于第一凹部和第二凹部的侧壁和底面上；以及(E)导电材料层，其填充在由第二凹部中的信息存储层围成的空间中。本发明可避免由于图形化而对信息存储层造成损伤。此外，可避免膜的剥落。还可简化制造工艺。

主权项

一种非易失性存储元件组，其包括：(A)第一绝缘层；(B)第二绝缘层，其具有第一凹部以及与所述第一凹部连通的第二凹部，所述第二凹部的宽度大于所述第一凹部的宽度，并且所述第二绝缘层布置于所述第一绝缘层上；(C)多个电极，它们布置于所述第一绝缘层中，并且所述多个电极的顶面从所述第一凹部的底面露出；(D)信息存储层，其形成于所述第一凹部和所述第二凹部的侧壁和底面上；以及(E)导电材料层，其填充在由所述第二凹部中的所述信息存储层围成的空间中。