[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201110302761.9 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102468336A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 片山雅也;浅野正义 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;郑特强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一区，形成在所述半导体衬底中；第一导电类型的第二区，形成在所述第一区中；环形栅电极，形成在所述第二区和所述第一区的结上方并沿着所述结形成；以及所述第二导电类型的漏极区和源极区，分别形成在所述第一区和所述第二区中，所述漏极区和所述源极区之间具有部分所述栅电极。本发明提供的半导体器件确保了期望的击穿电压并改善了性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；第二导电类型的第一区，形成在所述半导体衬底中；第一导电类型的第二区，形成在所述第一区中；环形栅电极，形成在所述第二区和所述第一区的结上方并沿着所述结形成；以及所述第二导电类型的漏极区和源极区，分别形成在所述第一区和所述第二区中，所述漏极区和所述源极区之间具有部分所述栅电极。
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