[发明专利]一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法

摘要

本发明涉及一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，借助电化学工作站三电极体系，通过将半导体纳米晶分散在溶剂中然后滴覆在工作电极(6)表面形成薄膜，在惰性气体保护下对半导体纳米晶的电化学性能进行测试，并提取纳米晶发生氧化还原反应起始位置的电势值，进而计算半导体纳米晶的LUMO值、HOMO值以及禁带宽度值，实现半导体纳米晶能带结构的准确测定，所得测试结果与吸收光谱法比较偏差小。本发明所提供的方法中的滴覆方式使半导体纳米晶在工作电极表面形成薄膜，减少了实验用料；并通过惰性气体的保护，避免了半导体纳米晶的不稳定，可以实现多种半导体纳米晶的能带结构测定。

主权项

一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)、将半导体纳米晶均匀分散在非极性有机溶剂中，形成半导体纳米晶溶液；2)、在惰性气体中，将步骤1)中所述半导体纳米晶溶液滴覆于电化学工作站的工作电极(6)表面，在所述工作电极(6)表面形成半导体纳米晶薄膜；3)、在惰性气体中，利用电化学工作站进行扫描，获得循环伏安曲线；4)、从步骤3)中得到的循环伏安曲线中提取与氧化峰、还原峰值对应的电势值，将半导体纳米晶的氧化峰、还原峰值对应的电势值代入公式，计算出半导体纳米晶的LUMO值、HOMO值及禁带宽度，所述公式为：EHOMO＝‑(E′OX+X)ELUMO＝‑(E′red+X)EgCV＝EHOMO‑ELUMO＝E′OX‑E′red其中，EHOMO是半导体纳米晶的HOMO值，ELUMO是半导体纳米晶的LUMO值，EgCV是通过循环伏安法得到的能带宽度，E`OX是起始氧化势能，E`red是起始还原势能，X为常数。