[发明专利]MEMS器件的形成方法有效
| 申请号： | 201110303975.8 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102328904A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 毛剑宏;唐德明 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MEMS器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底具有固定部件；在所述基底上形成图形化的非晶碳层；在所述图形化的非晶碳层上形成第一膜层，所述第一膜层的材料为锗硅、锗或者硅；图形化所述第一膜层形成可动部件；去除所述图形化的非晶碳层。非晶碳层容易去除而且不会污染腔室；另外，用非晶碳层作为牺牲层，工艺兼容性好；并且，材料为锗硅、锗或硅的第一膜层与非晶碳层的粘附性很好，不会出现第一膜层与非晶碳层之间滑动的现象。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有固定部件；在所述基底上形成图形化的非晶碳层；形成第一膜层，覆盖所述图形化的非晶碳层和基底，所述第一膜层的材料为锗硅、锗或者硅；图形化所述第一膜层形成可动部件；去除所述图形化的非晶碳层。
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