[发明专利]光电转换器件及其制造方法、用于光电转换器件的电解质层以及电子设备无效
| 申请号： | 201110304109.0 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102543493A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 津田辽平;熊谷洁 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/022;H01G9/035;H01M14/00;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及光电转换器件及其制造方法、用于光电转换器件的电解质层以及电子设备。所述光电转换器件具有如下结构，其中，由含有电解液的多孔膜构成的电解质层被设置在多孔光电极和对电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 器件 及其 制造 方法 用于 电解质 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
一种光电转换器件，其具有如下结构，其中，由含有电解液的多孔膜构成的电解质层被设置在多孔光电极和对电极之间。
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